Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Транзистор КТ6114Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6114А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6113Е n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6113Д n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6113Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6113А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в высокочастотных устройствах, в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6111В n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ6111Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ610Б в металлическом корпусе предназначен для использования в аппаратуре связи и радиотехнических устройствах широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ542А p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в выходных каскадах видеоусилителей цветных телевизоров, мониторов и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »