Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Транзистор КТ541А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в выходных каскадах видеоусилителей цветных телевизоров, мониторов и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ538А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный предназначен для использования в преобразователях напряжения и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ521Б предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ521А предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ520Б предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные высоковольтные биполярные транзисторы КТ520А предназначены для использования в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах, а также в блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Д предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503В предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »