Кремниевые транзисторы
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Б предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503А предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Д предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502В предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502А предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ368ВМ предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ368БМ предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ368АМ предназначены для использования в усилительных в усилительных схемах аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- 16
- …
- следующая ›
- последняя »