Радиотехническое
Прибор | Характеристики | Информация |
---|---|---|
Ескорпусные арсенид-галлиевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шоттки и каналом n-типа проводимости полевые транзисторы среднего уровня мощности У23.365.007.01, У23.365.007.02, У23.365.007.03, предназначены для использования в герметизированных гибридно-интегральных схемах генерации, преобразования и усиления мощности сигналов в диапазоне частот 8...12 ГГц. |
Цена: по запросу
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ3157А предназначены для использования в модуле видеоусилителя телевизионных приемников, и других каскадах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор КП7173А с изолированным затвором, обогащением n- канала, встроенным в цепь «затвор-исток» двухсторонним стабилитроном, предназначенный для использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах, телекоммуникационных системах и |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
SMK0760 - это полевой транзистор в корпусе GD TO-220F-3L. |
Цена: по запросу
|
|
Транзистор КТ969А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах радиоэлектронной аппаратуры, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ961В n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ961Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Транзистор КТ961А n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ940В предназначены для использования в каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
|
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ940А9 предназначены для использования в каскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения. |
Цена: по запросу
Документация:
Техническое описание
|
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- 22
- …
- следующая ›
- последняя »