8(800)350-90-48
С ПН по ПТ: с 9-00 до 18-00 (МСК)

Диоды

Прибор Характеристики Информация

Световой прибор на светодиодах предназначен для выдачи световой сигнализации и устанавливаются в корпуса изделий типа ТСБ.

Технические характеристики

Номинальное напряжение постоянного тока, В

220

Цена: по запросу

Сборка диодная 2ДШ142АС9 состоит из двух соединенных последовательно диодов с барьером Шоттки. Предназначен для использования в импульсных устройствах, преобразователях высокочастотного напряжения, генераторах, детекторах и других узлах и блоках аппаратуры специального назначения. Ближайший функциональный аналог: HSMS2802 для 2ДШ142АС9,

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д907Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - дР3.362.014 ТУ.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д907Б-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - дР3.362.014 ТУ.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Г-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - ДР3.362.036 ТУ.

Цена: по запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные импульсные диодные матрицы полупроводниковые (ДМП) 2Д918Б-1 предназначены для применения в неремонтируемых гибридных схемах, блоках и аппаратуре, обеспечивающей герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибков, инея и росы, пониженного и повышенного давления. Обозначение технических условий - ДР3.362.036 ТУ.

Цена: по запросу

Кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная матрица полупроводниковая (ДМП) 2Д908А предназначена для работы в аппаратуре специального назначения. Обозначение технических условий - дР3.362.026 ТУ. Корпусное исполнение металлостеклянный корпус 4112.12-1.

Цена: по запросу

Набор двух мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим анодом КД642АС предназначен для работы в импульсных источниках питания, а также других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Набор двух мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим катодом КД638АС1 предназначены для работы в импульсных источниках питания, а также других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

В отличии от модификации КД638АС, данные диоды имеют корпус КТ-90.

Цена: по запросу

Набор двух мощных кремниевых эпитаксиально-планарных диодов с общим катодом КД638АС предназначены для работы в импульсных источниках питания, а также других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Цена: по запросу

Страницы